русский română

M.2 NVMe SSD 512GB Silicon Power XD80 w/Heatsink, Interface:PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3400 MB/s / Writes 3000 MB/s, MTBF 2mln, HMB, SLC+DRAM Cache, RAID engine technology, SP Toolbox, Phison E12S, 3D NAND TLC

#313380
M.2NVMeSSD512GBSiliconPowerXD80w/Heatsink,Interface:PCIe3.0x4/NVMe1.3,M2Type2280formfactor,SequentialReads3400MB/s/Writes3000MB/s,MTBF2mln,HMB,SLC+DRAMCache,RAIDenginetechnology,SPToolbox,PhisonE12S,3DNANDTLC
Fotografile nu totimpul corespund pozelor

M.2 NVMe SSD 512GB Silicon Power XD80 w/Heatsink, Interface:PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3400 MB/s / Writes 3000 MB/s, MTBF 2mln, HMB, SLC+DRAM Cache, RAID engine technology, SP Toolbox, Phison E12S, 3D NAND TLC

M.2 NVMe SSD 512GB Silicon Power XD80 w/Heatsink, Interface:PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3400 MB/s / Writes 3000 MB/s, MTBF 2mln, HMB, SLC+DRAM Cache, RAID engine technology, SP Toolbox, Phison E12S, 3D NAND TLC Тип внутренний Объем 512 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Phison PS5012-E12S Буферная память 128 МБ / DDR3-1600 / Тип памяти 3D TLC NAND / 64-слойная / NVMe + Внешняя скорость записи 3000 МБ/с Внешняя скорость считывания 3400 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка на отказ 2 млн. ч TBW 400 ТБ DWPD 0.4 раз/день TRIM + Радиатор охлаждения M.2 + Размеры (ШхГхТ) 22x80 мм