Твердотельный накопитель Samsung 850 EVO MZ-N5E250BW,250GB SSD M.2 Type 2280
Твердотельный накопитель Samsung 850 EVO MZ-N5E250BW,250GB SSD M.2 Type 2280 Особенности технологии 3D V-NAND TLC В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND TLC, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную Уникальная технология TurboWrite — непревзойдённая скорость обмена данными Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи, для оптимизации скорости выполнения рутинных задач с технологией TurboWrite от компании Samsung. По сравнению с серией 840 EVO, накопители серии EVO 850 показывают на 13% более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной (random) записи. Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 500 MБ/с соответственно. Наслаждайтесь оптимизированной случайной (random) производительностью на всех диапазонах глубины очереди (QD) на ПК. Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID Накопители серии 850 EVO с интерфейсом M.2 — настоящие скоростные болиды. Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а также скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х раз по сравнению с обычным режимом. Надёжность, подкреплённая технологией 3D V-NAND SSD накопители серии 850 EVO гарантируют надёжность и долговечность за счёт удвоения жизненного цикла Total Bytes Written (TBW) в сравнении с предыдущим поколением накопителей серии 840 EVO. Энергоэффективность при поддержке 3D V-NAND Накопители серии 850 EVO позволят вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше, благодаря поддержке специального режима сна (при котором устройство потребляет всего лишь 2 мВт), а так же наличию инновационной 3D V-NAND технологии, которая требует на 50% меньше энергии в сравнении с традиционными 2D NAND устройствами, что обеспечивает вам до 25% энергоэффективности при операциях записи. Удобный формат для использования с различными устройствами Универсальные Накопители серии 850 EVO подойдут вам мне зависимости от типа устройства, к которому вы собираетесь их подключать, или типа размера их коннектора. Накопители серии 850 EVO M.2 SATA имеют такие же узкие и тонкие коннекторы как и SSD накопители M.2 PCIe, только с поддержкой интерфейса SATA. Это идеально решение для современных домашних ПК, ноутбуков, а в особенности ультрабуков или планшетных ПК, где размер имеет решающее значение. Динамическая теплозащита Динамическая теплозащита в накопителях серии 850 EVO постоянно и автоматически поддерживает идеальную температуру для оптимальной работы устройства. Простая и быстрая установка При помощи программ «One-stop Install Navigator» и Samsung Data Migration, которые идут в комплекте, вы сможете в два счёта перенести ваши данные со старого SSD или HDD накопителя на накопитель 850 серии EVO, а с помощью программ Magician можно дополнительно оптимизировать его работу. Слаженная работа всех компонентов В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя. Особенности скорости: Последовательного чтения: до 540 МБ/с Последовательной записи: до 500 МБ/с Cлучайного чтения блоками 4KB (QD32): до 97 000 IOPS Случайной записи блоками 4KB (QD32): до 89 000 IOPS Случайного чтения (4KB, QD1): до 10 000 IOPS Случайной записи (4KB, QD1): до 40 000 IOPS Объем 250 ГБ Скорость последовательного чтения: до 540 МБ/с Скорость последовательной записи: до 500 МБ/с Энергопотребление до 3.7 Вт Время наработки на отказ 1.5 миллиона часов (MTBF) Формфактор M.2 Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G (на протяжении 0.5 мс) Тип ячеек памяти 3D V-NAND Интерфейс SATAIII Тип накопителя Внутренний