Samsung 850 MZ-7LN120BW

№237183
120GBSSD2.5"Samsung850MZ-7LN120BW,Read540MB/s,Write520MB/s,SATAIII6.0Gbps(solidstatedriveinternSSD/внутренийвысокоскоростнойнакопительSSD)
Фотографии на сайте не всегда соответствуют оригиналу!

120GB SSD 2.5" Samsung 850 MZ-7LN120BW, Read 540MB/s, Write 520MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)

120GB SSD 2.5" Samsung 850 MZ-7LN120BW, Read 540MB/s, Write 520MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Обновите свой ПК Поднимите производительность и надежность вашего ПК на новый уровень. Благодаря использованию Samsung V-NAND технологии, твердотельный накопитель SSD 850 объемом 120 ГБ* позволит увеличить продуктивность вашей работы, сократится реакция ПК на ваши действия, уменьшится время загрузки ПК и приложений. Изделие является лучшим выбором для обновления ежедневно используемого загрузочного накопителя ПК. Оцените высокую производительность накопителя SSD 850 изменит ваш привычный взгляд на работу с ПК. Благодаря технологии TurboWrite**, скорость записи достигает 520 MБ/с***, а скорость последовательного чтения — 540 MБ/с ***. Для еще большего повышения производительности используется приложение Magician с ускоренным режимом обработки данных RAPID, позволяющим использовать память ПК в качестве кэша. Высочайшая надежность В отличие от HDD с вращающимися дисками, SSD 850 на основе NAND флэш памяти обеспечивает бесшумность работы ноутбука и невосприимчивость накопителя к ударам и вибрациям. Доверьтесь эксперту в SSD SSD Samsung отличается полной совместимостью аппаратных и программных средств. Как лидер в технологии V-NAND, Samsung самостоятельно разрабатывает, производит и интегрирует в систему все критически важные компоненты с настройкой каждого элемента. ПО Magician включает все инструменты, необходимые для оптимизации рабочих характеристик SSD, а также поддерживает автоматическое обновление прошивки. Объем 120 ГБ Скорость чтения до 540 МБ/сек Скорость записи до 520 МБ/сек Энергопотребление Режим ожидания: 50 мВт Активное чтение/Запись (среднее значение): 2.5 Вт./ 1.8 Вт Формфактор 2.5" Время наработки на отказ 1.5 млн часов Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G в течении 0.5 мс Тип ячеек памяти V-NAND (TLC) Интерфейс SATAIII Тип накопителя Внутренний