4GB DDR3-1600 Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.5V
4GB DDR3-1600 Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL11