4GB DDR3L-1600 SODIMM Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.35V
4GB DDR3L-1600 SODIMM Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.35V 1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11