Samsung M378B1G73EB0-CK0 DDR3 8GB PC12800 1600MHz CL11
Общие характеристики Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: DIMM 240-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Объем: 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Тайминги CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP):11 Дополнительно: Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания: 1.5 В