8GB DDR4-2666 Silicon Power, PC21300, CL19, 1Gx8, Single Rank, 1.2V
8GB DDR4-2666 Silicon Power, PC21300, CL19, 1Gx8, Single Rank, 1.2V 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 198GB DDR4-2666 Silicon Power, PC21300, CL19, 1Gx8, Single Rank, 1.2V
8GB DDR4-2666 Silicon Power, PC21300, CL19, 1Gx8, Single Rank, 1.2V 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19