4GB DDR4-2400 Silicon Power, PC19200, CL17, 512Mx8, Single Rank, 1.2V
4GB DDR4-2400 Silicon Power, PC19200, CL17, 512Mx8, Single Rank, 1.2V 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 174GB DDR4-2400 Silicon Power, PC19200, CL17, 512Mx8, Single Rank, 1.2V
4GB DDR4-2400 Silicon Power, PC19200, CL17, 512Mx8, Single Rank, 1.2V 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17